一种晶圆背面处理方法

摘要

本发明公开了一种晶圆背面处理方法，应用于半导体晶圆制造过程中，该方法包括：对晶圆进行背面减薄，得到减薄后的晶圆；根据所述减薄后的晶圆的背面表面质量，将所述晶圆放入设定配比的混酸溶液中浸泡，以获取满足背面金属化要求的表面质量；对经浸泡处理后的晶圆进行清洗后，对所述晶圆进行背面金属化处理，在所述晶圆的背面镀上所需的金属层。本发明的上述方法通过混酸浸泡，改善晶圆背面表面质量，使得背面金属化层不会发生翘曲、卷曲和剥落。

主权项

一种晶圆背面处理方法，其特征在于，包括：对晶圆进行背面减薄，得到减薄后的晶圆；根据所述减薄后的晶圆的背面表面质量，将减薄后的晶圆放入对应的设定配比的混酸溶液中浸泡，得到表面质量满足背面金属化要求的浸泡处理后的晶圆；对经浸泡处理后的晶圆进行清洗后，对清洗后的晶圆进行背面金属化处理，实现在清洗后的晶圆的背面镀上所需的金属层。