用于半导体发光器件的反射性接触

摘要

发光器件包含半导体结构，其包含布置在n型区和p型区之间的发光层。接触形成于半导体结构上，该接触包含与半导体结构直接接触的反射性金属以及布置在反射性金属之内的附加金属或半金属。在一些实施例中，该附加金属或半金属为电负性高于反射性金属的材料。在接触中存在高电负性材料可增加接触的整体电负性，这可减小器件的正向电压。在一些实施例中，氧气收集材料被包含在接触中。

主权项

一种发光器件，包含：半导体结构，其包含布置在n型区和p型区之间的发光层；形成于该半导体结构上的接触，该接触包含：与该半导体结构直接接触的第一材料，其中该第一材料包含金属，该金属对于由该发光层发射的光是反射性的；以及布置在该第一材料之内的第二材料，其中该第二材料为与该第一材料不同的材料。