发明名称 |
电熔丝、电阻与晶体管的制造方法 |
摘要 |
一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,首先,提供基底,然后,形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且晶体管栅极、电阻、电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模,之后,形成源极/漏极掺杂区于晶体管栅极旁的基底中,接着,去除电阻以及电熔丝中的硬掩模,然后,进行金属硅化工艺,形成金属硅化层于源极/漏极掺杂区、电阻上以及电熔丝上,再形成平坦化的第二介电层覆盖基底,并曝露出晶体管栅极的多晶硅层、电阻和电熔丝,之后,移除晶体管栅极中的多晶硅层,以形成凹槽,最后形成金属层填满凹槽。 |
申请公布号 |
CN102082122A |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200910225877.X |
申请日期 |
2009.11.30 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
林永昌;吴贵盛;翁彰键;曾靖翔 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,包含:提供基底;形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模;形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中;去除该电阻以及该电熔丝中的该硬掩模;进行金属硅化工艺,分别形成金属硅化层于该源极/漏极掺杂区、该电阻上以及该电熔丝上;形成平坦化的第二介电层覆盖该基底,并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻和该电熔丝;移除该晶体管栅极中的该多晶硅层,以形成凹槽;以及形成金属层填满该凹槽。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |