| 发明名称 | 非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。 | ||
| 申请公布号 | CN102082170A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010255843.8 | 申请日期 | 2010.08.16 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 滨威史;铃木真之;田中淳;望月文彦 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种非晶态氧化物半导体材料，所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b‑3.2，并且c＞‑5b+8，并且1≤c≤2。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||