具有多层互连结构的半导体器件

摘要

一种具有多层互连结构的半导体器件，多层互连结构至少包括第一互连层以及在其上或下形成的第二互连层，第一互连层包括嵌入在第一层间绝缘膜中并且构成互连图案的一部分的第一导体图案以及与第一导体图案不同的第二导体图案，第二互连层包括嵌入在第二层间绝缘膜中且构成互连图案的一部分的第三导体图案，第三导体图案具有在与第三导体图案相同的层中延伸的延伸部，第三导体图案通过第一通路塞在延伸部与第一导体图案电连接，第三导体图案在延伸部延伸的边缘还具有均通过第二通路塞与第二导体图案接触的一个或多个虚设延伸部，第三导体图案、延伸部、虚设延伸部、第一与第二通路塞均构成镶嵌结构。本发明能抑制通路塞中的空隙聚集，提高可靠性。

主权项

一种具有多层互连结构的半导体器件，其特征在于：所述多层互连结构至少包括第一互连层以及在所述第一互连层之上或之下形成的第二互连层，所述第一互连层包括嵌入在第一层间绝缘膜中并且构成互连图案的一部分的第一导体图案以及与嵌入在所述第一层间绝缘膜中的所述第一导体图案不同的第二导体图案，所述第二互连层包括嵌入在第二层间绝缘膜中并且构成所述互连图案的一部分的第三导体图案，所述第三导体图案具有在与所述第三导体图案相同的层中延伸的延伸部，所述第三导体图案通过第一通路塞在所述延伸部与所述第一导体图案电连接，所述第三导体图案在所述延伸部延伸的边缘还具有一个或多个虚设延伸部，所述一个或多个虚设延伸部均通过第二通路塞与所述第二导体图案接触，所述第三导体图案、所述延伸部、所述一个或多个虚设延伸部、所述第一通路塞以及所述第二通路塞均构成镶嵌结构。