带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法

摘要

本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。

主权项

一种增益单元eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及存储节点处的等效寄生电容，其特征在于，还包括置于所述存储节点处的、用于增加增益单元eDRAM单元的存储电荷的MOS电容，所述MOS电容的制造与标准MOS工艺兼容。