| 发明名称 | 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102079502A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010571925.3 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 华东光电集成器件研究所 | 发明人 | 方澍;郭群英;徐栋;黄斌;陈博 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人 | 杨晋弘 |
| 主权项 | 一种MEMS器件，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11与敏感结构层其它部件相互孤立并绝缘，每个硅岛(11)的下面分别与玻璃基片(1)以及设置在玻璃基片上的一条电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。 | ||
| 地址 | 233042 安徽省蚌埠市蚌山区财院路10号 | ||