动态相变存储器

摘要

本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在200℃到640℃之间，且其结晶温度在40℃到120℃之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储单元进行数据刷新，将电阻下降的存储单元重新设定到高电阻态。所述存储器用较低的功耗对器件进行编程。本发明提出的动态相变存储器使动态随机存储器件大大降低了所需要刷新的次数，并且与传统的PCRAM相比具有更低的功耗；同时由于采用小信号进行编程，所以动态相变存储器的疲劳特性大为改善。

主权项

一种动态相变存储器，其特征在于：所述存储器的存储介质采用熔点在200℃到640℃之间、结晶温度在40℃到120℃之间的相变材料；所述存储器包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储单元进行数据刷新，将电阻下降的单元重新设定到高电阻态。