发明名称 一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法
摘要 本发明涉及压力传感器的设计与制造领域,公开了一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法,具体包括以下步骤:a、制备纳米SiC浆料;b、制备阴极发射板;c、制备发射器件;d、构成传感器。本发明采用丝网印刷制备纳米SiC薄膜,制作成本低,得到纳米SiC薄膜面积大、均匀,制作的传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长。
申请公布号 CN101586992B 申请公布日期 2011.06.01
申请号 CN200910022971.5 申请日期 2009.06.18
申请人 西安交通大学 发明人 张秀霞;魏舒怡;卢秉恒
分类号 G01L1/16(2006.01)I;G01L9/08(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I 主分类号 G01L1/16(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 惠文轩
主权项 一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:a、制备纳米SiC浆料首先,分别研磨纳米SiC、纳米石墨,散开其团聚体,再将纳米石墨、纳米SiC、乙基纤维素按重量比用4∶7∶8比例混合作为溶质,按重量比1∶5至1∶9将溶质加入松油醇溶剂中,加热到340‑380K温度充分搅拌,超声分散3‑5小时,然后过400‑450目筛,最后自然冷却至室温,得纳米SiC浆料待用;b、制备阴极发射板首先,选择300‑350目的金属丝网或涤纶丝网,将纳米SiC浆料丝网印刷在基板上,再进行热烧结处理,然后在退火炉中,在氮气保护下,在温度为550K‑580K、时间为15‑20min条件下进行退火,最后自然冷却室温,即得具有纳米SiC薄膜的阴极发射板;c、制备发射器件首先,在阴极发射板的基板上未涂布SiC层的边沿部分粘贴弹性绝缘筒,弹性绝缘筒上粘贴与基板平行的盖板,基板、弹性绝缘筒、盖板构成密闭腔体,并抽真空,然后,在盖板和基板上分别引出正、负极引线;d、构成传感器在发射器件的正、负极接入恒压电源,恒压电源的负极和发射器件的负极之间接入电流表,所述电流表的电流值表征作用于盖板与基板上的压力值。
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