| 发明名称 | 生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产成本更低的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法。本发明生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法包括如下步骤：a、沉积缓冲氧化层或缓冲氮化层；b、沉积非晶硅薄膜层；c、硅图案化；d、用等离子体增强化学气相沉积栅极绝缘层；e、溅射蒸镀栅极导电层，然后图案化；f、离子掺杂处理；g、蒸镀Ni金属层；h、加热，使非晶硅结晶化和活性化；i、沉积ILD及形成通孔图案；j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；m、形成像素限定层图案。 | ||
| 申请公布号 | CN102082098A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010588952.1 | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 四川虹视显示技术有限公司 | 发明人 | 徐正勋;闫晓剑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人 | 柯海军;武森涛 |
| 主权项 | 1.生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：a、在玻璃基板或石英基板上用等离子体增强化学气相沉积<img file="FDA0000038326810000011.GIF" wi="286" he="54" />的缓冲氧化层；b、用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积<img file="FDA0000038326810000012.GIF" wi="233" he="50" />的非晶硅薄膜层；c、硅图案化；d、用等离子体增强化学气相沉积<img file="FDA0000038326810000013.GIF" wi="259" he="52" />的栅极绝缘层；e、溅射蒸镀<img file="FDA0000038326810000014.GIF" wi="307" he="52" />的栅极导电层，然后图案化；f、离子掺杂处理；g、蒸镀<img file="FDA0000038326810000015.GIF" wi="207" he="51" />的Ni金属层；h、加热，于500～700℃下使非晶硅结晶化和活性化；i、沉积ILD及形成通孔图案；j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；m、形成像素限定层图案。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区科新西街168号 | ||