基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法

摘要

本发明公开了一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法，透明纳米压印模板是由电子束光刻制成纳米X射线曝光模版，该方法通过X射线曝光，将纳米图形转移到不导电的石英作为衬底的光刻胶上，显影后通过蒸发金属、剥离工艺，得到石英衬底上的金属纳米图形，将金属作为阻挡层使用反应离子刻蚀石英，得到石英上的纳米图形，去除金属完成透光纳米压印模板的制作。本发明解决了无法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题。同时，本发明实现了透光纳米压印模板，为纳米压印提供了方便的对准手段，使紫外固化纳米压印成为可能。

主权项

一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：采用电子束光刻、电镀在自支撑薄膜上制作纳米图形；步骤2：在石英基片上旋涂光刻胶；步骤3：通过X射线曝光将纳米图形转移到光刻胶上；步骤4：显影，去残胶；步骤5：电子束蒸发金属，剥离金属后获得的金属阻挡层作为反应离子刻蚀的阻挡层；步骤6：反应离子刻蚀石英，形成石英上的纳米图形；步骤7：去除金属阻挡层，完成透光纳米压印模板的制作。