| 摘要 |
1. Способ осаждения тонких пленок сегнетоэлектриков на основе сложных оксидов методом ионно-плазменного распыления путем нанесения на подложку, расположенную на аноде, атомов мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, отличающийся тем, что подложку размещают в области проекции зоны активного распыления мишени, а между ней и мишенью параллельно оси системы распыления устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала, диаметр которого соизмерим с размерами подложки. ! 2. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид BSTO. ! 3. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид PZTO. |
