| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle oder eines Transistors mit einer kristallinen Silizium-Dünnschicht |
| 摘要 |
<p>Zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle oder eines Dünnschichttransistors werden auf der Oberfläche des Substrats (1) kristalline Siliziumteilchen fixiert, worauf eine kristalline Silizium-Dünnschicht aus verschiedenen Teilschichten (2) epitaktisch abgeschieden wird.</p> |
| 申请公布号 |
DE102009042886(A1) |
申请公布日期 |
2011.05.26 |
| 申请号 |
DE20091042886 |
申请日期 |
2009.09.24 |
| 申请人 |
SCHOTT AG |
发明人 |
SPEIT, BURKHARD;HANSEN, ROLF |
| 分类号 |
H01L31/18;H01L21/20;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L31/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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