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RF Prozessenergieversorgung (1) mit einer Ausgangsimpedanz (10) zum Anschluss an eine Plasmaanregungsanordnung (5) mit einer dynamischen Plasmaimpedanz (6), wobei die RF Prozessenergieversorgung aufweist: Anschluss (3) an ein Stromversorgungsnetz (2), zumindest eine dem Anschluss (3) nachgeschaltete Gleichstromversorgung (4), zumindest einem der Gleichstromversorgung nachgeschalteten RF-Inverter (7) zur Erzeugung von RF-Leistung mit Frequenzen größer 3 MHz eine dem RF-Inverter nachgeschaltete elektronisch variierbare Impedanzanpassungsschaltung (8), eine der Impedanzanpassungsschaltung nachgeschalteter Ausgangsanschluss (9), an den die Plasmaanregungsanordnung angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangsimpedanz der RF Prozessenergieversorgung einstellbar auf den Wert der Plasmaimpedanz ist oder während einer Plasmaanregung betragsmäßig kleiner als 30 &OHgr; ist, und dass der RF-Inverter ein Freischwinger ist.
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