发明名称 场发射阴极装置及场发射显示器
摘要 本发明涉及一种场发射阴极装置,包括:一阴极基板;一栅极电极设置于该阴极基板的表面;一第一绝缘层设置于所述栅极电极的表面;一阴极电极通过所述第一绝缘层与所述栅极电极间隔设置;以及一阴极发射层设置于所述阴极电极表面,其中:所述第一绝缘层设置有一第一开孔,所述阴极电极设置有一第二开孔,所述第一开孔与第二开孔对应设置且相互连通,使所述栅极电极对应该开孔位置的表面暴露,所述阴极发射层仅设置在所述阴极电极靠近所述第二开孔位置的表面。进一步,本发明提供一种采用上述场发射阴极装置的显示器。
申请公布号 CN102074440A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201010589777.8 申请日期 2010.12.15
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 唐洁;杜秉初;范守善
分类号 H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J29/46(2006.01)I 主分类号 H01J29/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种场发射阴极装置,包括:一阴极基板;一栅极电极设置于该阴极基板的表面;一第一绝缘层设置于所述栅极电极的表面;一阴极电极通过所述第一绝缘层与所述栅极电极间隔设置;以及一阴极发射层设置于所述阴极电极表面,其特征在于:所述第一绝缘层设置有一第一开孔,所述阴极电极设置有一第二开孔,所述第一开孔与第二开孔对应设置且相互连通,使所述栅极电极对应该开孔位置的表面暴露,所述阴极发射层仅设置在所述阴极电极靠近所述第二开孔位置的表面。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室