| 发明名称 | 一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元，是在基片往上依次设置缓冲层、铁磁层F1、反铁磁层、隔离层、铁磁层F1和覆盖层，其特征在于，该单元为菱形单元，且长轴与短轴之比等于或大于2。本发明的有益效果：通过将常用的椭圆存储单元形状改为菱形，降低了对制备工艺的要求，且通过微磁学模拟，发现菱形单元在长轴L与短轴W之比大于等于2的条件下，其剩磁态呈现单畴态，满足信息稳定存储的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102074266A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010593268.2 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 唐晓莉;苏桦;张怀武;荆玉兰;钟智勇 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元，是在基片往上依次设置缓冲层、铁磁层F1、反铁磁层、隔离层、铁磁层F1和覆盖层，其特征在于，该单元为菱形单元，且长轴与短轴之比等于或大于2。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||