| 发明名称 | 快速恢复二极管 | ||
| 摘要 | 提供快速恢复二极管(1)，其包括具有阴极侧(21)和在该阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂基极层(2)，在该阳极侧(22)上的p掺杂阳极层(5)。具有掺杂分布的该阳极层(5)包括至少两个子层(51、52、53)，其中第一子层(51)具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*1016cm-3和2*1017cm-3之间并且其高于任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度。末尾子层(52)具有末尾子层深度(520)，其大于任意其他子层深度(51、53)，其中该末尾子层深度(520)在90至120μm之间。该阳极层的掺杂分布下降使得在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间达到在5*1014cm-3和1*1015cm-3范围中的掺杂浓度。这样的掺杂浓度的分布通过使用铝扩散层作为该至少两个子层(51、52、53)获得。 | ||
| 申请公布号 | CN102074586A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010551975.5 | 申请日期 | 2010.11.09 |
| 申请人 | ABB技术有限公司 | 发明人 | J·沃贝基;K·赫曼;H·杜兰;M·拉希莫 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;徐予红 |
| 主权项 | 一种快速恢复二极管(1)包括具有阴极侧(21)和在所述阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂基极层(2)，在所述阳极侧(22)上的p掺杂阳极层(5)，所述阳极层(5)具有掺杂分布并且包括至少两个子层(51、52、53)，其设置平行于所述阳极侧(22)，其中所述至少两个子层(51、52、53)包括第一子层(51)和末尾子层(52)，所述第一子层(51)具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*1016cm‑3和2*1017cm‑3之间并且所述第一最大掺杂浓度高于所述至少两个子层(51、52、53)中的任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度，具有末尾子层深度(520)的所述末尾子层(52)，所述末尾子层深度(520)大于任意其他子层深度(54、55)，其中所述末尾子层深度(520)在90至120μm之间，其中所述阳极层(5)的掺杂分布下降使得在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间达到5*1014cm‑3和1*1015cm‑3范围中的掺杂浓度，并且其中所述至少两个子层(51、52、53)是铝扩散层。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||