发明名称 改善晶圆清洗缺陷的方法
摘要 本发明涉及一种改善晶圆清洗缺陷的方法,包括第一步清洗,用去离子水冲洗晶圆和卡盘,去除化学混合液;第二步清洗,用去离子水快排冲水清洗晶圆和卡盘,进一步去除化学混合液;第三步清洗,用去离子水冲洗晶圆和卡盘,再进一步去除化学混合液。本发明的改善晶圆清洗缺陷的方法采用三步冲洗过程,同时采用热去离子水及快排冲洗清洗模式,提高了对化学粘稠液的清洗能力,减少了残留的化学混合液,降低了化学混合液接触晶圆的几率,改善了晶圆清洗缺陷,与传统的方法相比,减少了设备额外进行维护及停机时间,提升了产品在线周转率,由于采用制程优化,节约了大量人力成本。
申请公布号 CN102069078A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN200910109776.6 申请日期 2009.11.19
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 刘金慧;钱利森;陈凤英
分类号 B08B3/08(2006.01)I;B08B3/10(2006.01)I 主分类号 B08B3/08(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种改善晶圆清洗缺陷的方法,其特征在于:包括第一步清洗,用去离子水冲洗晶圆和卡盘,去除化学混合液;第二步清洗,用去离子水快排冲水清洗晶圆和卡盘,进一步去除化学混合液;第三步清洗,用去离子水冲洗晶圆和卡盘,再进一步去除化学混合液。
地址 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号