一种多晶硅薄膜制备方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅薄膜生长方法，高温下在装载有液态金属Sn的石英、石墨等耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH4、SiHCl3等硅的气态化学物为硅源、以O2为氧源或者NH3为氮源先在液态Sn表面沉积一层SiO2或者SiNx过渡层，接着以SiH4或者含H2的SiH4或SiHCl3为反应气体，在过渡层上沉积一层一定厚度的多晶硅薄膜。最后利用过渡层和液态金属锡不浸润的特性，从液态Sn表面分离多晶硅薄膜。本发明解决了高温生长多晶硅薄膜的衬底问题，使得大面积多晶硅薄膜和多晶硅薄膜电池低成本制备成为可能，具有重要产业化应用前景。

主权项

一种多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，该方法为，以承载有低熔点金属锡的耐高温槽为衬底，在锡槽温度范围为800℃‑1400℃时，采用化学气相沉积法先在液态锡表面沉积一层二氧化硅或者氮化硅薄膜过渡层，再采用化学气相沉积法在该过渡层上沉积一层多晶硅薄膜；最后在保持锡为液态的温度下，连带过渡层分离多晶硅薄膜。