半导体滤波器结构和制造方法

摘要

在一实施例中，一种传导类型的分裂阱区域在对立传导类型的半导体基底中形成。该分裂阱区域形成浮动电容器的一个板片和瞬态电压抑制器件的一个电极。

主权项

一种滤波器，包括：半导体基底，所述半导体基底为第一传导类型且具有第一掺杂浓度；覆盖于所述半导体基底而形成的半导体层，所述半导体层为第一传导类型且具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，所述半导体层具有第一主表面；第一浮动电容器器件，所述第一浮动电容器器件毗连所述第一主表面而形成；和第一瞬态电压抑制器件，所述第一瞬态电压抑制器件毗连所述第一主表面而形成，其中，所述第一浮动电容器器件和所述第一瞬态电压抑制器件共享第二传导类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域在所述半导体层中形成，且其中，所述第一掺杂区域在所述第一主表面终止以使所述第一浮动电容器器件覆盖所述半导体层的一部分及所述第一掺杂区域的一部分。