| 发明名称 | MOS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS器件及其形成方法，其中MOS器件的形成方法包括：提供表面形成有栅极区的半导体衬底，所述栅极区包括栅介质层和形成在栅介质层表面的栅电极层；在所述半导体衬底内形成位于所述栅极区的两侧的LDD区；在所述LDD区位于接近所述栅极区的侧面形成与LDD相邻的第一口袋区；在所述第一口袋区内与第一口袋区下方形成第二口袋区；在所述栅极区侧壁形成侧墙；在所述半导体衬底内形成位于形成有侧墙的栅极区两侧的源极区和漏极区，所述源极区/漏极区与沟道区之间被所述第一口袋区和第二口袋区隔离。本发明形成的MOS器件能够避免出现沟道穿通效应，同时有效控制MOS器件的增益。 | ||
| 申请公布号 | CN102074475A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910199223.4 | 申请日期 | 2009.11.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 居建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS器件形成方法，其特征在于，包括：提供表面形成有栅极区的半导体衬底，所述栅极区包括栅介质层和形成在栅介质层表面的栅电极层；在所述半导体衬底内形成位于所述栅极区的两侧的LDD区；在所述LDD区位于接近所述栅极区的侧面形成与LDD相邻的第一口袋区；在所述第一口袋区内与第一口袋区下方形成第二口袋区；在所述栅极区侧壁形成侧墙；在所述半导体衬底内形成位于形成有侧墙的栅极区两侧的源极区和漏极区，所述源极区/漏极区与沟道区之间被所述第一口袋区和第二口袋区隔离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||