通过螺旋位错持续生长形成纳米结构层

摘要

本文描述了薄膜层的纳米结构化支承元件的长度伸展工艺。所述工艺涉及第一退火步骤期间纳米结构化支承元件的初始形成。在所述纳米结构化支承元件上沉积材料涂层。在第二退火步骤期间，所述初始形成的纳米结构化支承元件纵向伸展。较长的纳米结构化支承元件提供了更大的支承催化剂材料的表面积，从而允许在所述层上填塞更多的催化剂。具有延伸的纳米结构化支承元件的层尤其可用于电化学装置(诸如燃料电池)，其中催化剂活性与支承所述催化剂的可用表面积相关。

主权项

一种涉及形成纳米结构化支承元件的方法，所述方法包括：在基底上沉积材料的第一层；使所述第一层退火以形成所述纳米结构化支承元件层；在所述纳米结构化支承元件上沉积所述材料的第二层；以及使所述第二层退火以纵向延伸所述纳米结构化支承元件，其中对所述第一层的沉积通过气相沉积进行，且其中所述第一层是有机颜料层。