半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置，其中薄膜晶体管(10)将多晶硅膜(1a)作为有源层，具有将备有高浓度N型区域(1c)、低浓度N型区域(1d)、第1沟道区域(1e)和高浓度N型区域(1g)的第1薄膜晶体管部(10a)，以及备有高浓度N型区域(1g)、第2沟道区域(1i)、低浓度N型区域(1j)和高浓度N型区域(1k)的第2薄膜晶体管(10b)串联连接的多栅极结构。在漏极侧的第1薄膜晶体管部(10a)的沟道长度在0.5以上而不足1.5μm的范围内。从而即使在由于弯折(kink)效应，而在薄膜晶体管的饱和动作区域具有源极与漏极电流的变化的情况下，仍可获得稳定的输出。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有将形成于衬底上的多晶硅膜作为有源层的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管，包括：第1薄膜晶体管部，其在所述多晶硅膜的漏极侧位置具有第1沟道区域；第2薄膜晶体管部，其具有第2沟道区域，所述第2沟道区域在所述多晶硅膜中在源极侧经由第1杂质导入区域而与所述第1沟道区域邻接；以及第3薄膜晶体管部，其进一步在源极侧相对于所述第2薄膜晶体管部与所述第1薄膜晶体管部对称地形成，并具有第3沟道区域，所述第3沟道区域在所述多晶硅膜中在源极侧经由第2杂质导入区域而与所述第2沟道区域邻接；所述第1薄膜晶体管部的沟道长度以及所述第3薄膜晶体管的沟道长度，为0.5μm以上，而不足1.5μm，该半导体装置的制造方法，包括：第1杂质导入工序，其中在所述衬底上形成所述多晶硅膜之后，经由对比所述第1沟道区域的源极侧端部更靠源极侧的区域以及比所述第3沟道区域的漏极侧端部更靠漏极侧的区域进行覆盖的掩模，将第1导电型杂质导入到所述多晶硅膜中，从而形成第1导电型区域；掩模部分去除工序，其中部分地去除所述掩模，从而缩小该掩模的形成区域；第2杂质导入工序，其中通过由所述掩模部分去除工序而缩小的所述掩模，将与所述第1导电型杂质相同量的第2导电型杂质导入到所述多晶硅膜中，将所述第1导电型区域作为本征区域；掩模去除工序，其中去除所述掩膜；栅极电极形成工序，其中在所述第2杂质导入工序之后，在与所述第1沟道区域、所述第1杂质导入区域、所述第2沟道区域、所述第2杂质导入区域、以及所述第3沟道区域相重合的位置形成所述栅极电极；第3杂质导入工序，其中将所述栅极电极作为掩模导入第2导电型杂质，从而规定所述第1沟道区域的漏极侧端部的位置以及所述第3沟道区域的源极侧端部的位置。