| 发明名称 | 一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器。本发明的磁性多层膜自下而上地包括：第一反铁磁层；第一硬磁层；第一非磁性金属层；第二软磁层；隧道势垒层；第三软磁层；第二非磁性金属层；第四硬磁层；和第二反铁磁层；其中，所述第三磁性层被设定为具有使其磁化方向翻转的第一临界电流和所述第二磁性层被设定为具有使其磁化方向翻转的第二临界电流，所述第一临界电流不等于所述第二临界电流。基于本发明磁性多层膜的磁逻辑元件和磁性随机存取存储器读写速度更快，并且读写操作所需电流密度相对较小，耗用功率低，节约能源。 | ||
| 申请公布号 | CN102074329A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910238243.8 | 申请日期 | 2009.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 梁世恒;刘东屏;温振超;韩秀峰 |
| 分类号 | H01F10/08(2006.01)I;H03K19/168(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种磁性多层膜，所述磁性多层膜自下而上地包括：第一反铁磁层；第一硬磁层；第一非磁性金属层；第二软磁层；隧道势垒层；第三软磁层；第二非磁性金属层；第四硬磁层；和第二反铁磁层；其中，所述第三磁性层被设定为具有使其磁化方向翻转的第一临界电流和所述第二磁性层被设定为具有使其磁化方向翻转的第二临界电流，所述第一临界电流不等于所述第二临界电流。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||