| 发明名称 | 形成电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供形成电子器件的方法。方法包括光刻胶图形的碱性处理且满足高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。提供了一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物层；(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；(g)施加热敏组合物第二层；(h)加热该热敏组合物第二层；以及(i)显影该被加热的第二层。 | ||
| 申请公布号 | CN102074462A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010256809.2 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | Y·C·裴;T·卡多拉西亚;刘沂 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物层，其中该第一光敏组合物包括第一树脂成分和光激活成分；(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；(g)施加热敏组合物第二层，所述热敏组合物第二层与该光刻胶图形的碱性表面接触，该第二组合物包括第二树脂成分和热酸产生剂；(h)加热该热敏组合物第二层至可有效地使热酸产生剂产生酸的温度；以及(i)显影该被加热的第二层。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||