纯MOS结构高精度电压基准源

摘要

本发明公开了一种纯MOS结构高精度电压基准源，包括电流产生电路、自偏置电路和BGR启动电路；所述BGR启动电路，用于启动所述自偏置电路；所述电流产生电路，用于产生偏置电流；所述自偏置电路连接所述电流产生电路，用于产生基准电压。本发明一种纯MOS结构高精度电压基准源，不包括三极管，只包括NMOS管、PMOS管和电阻，电路简单，容易实现，无需利用CMOS工艺中的寄生三极管，也无需带隙基准源要求的高增益运放，因而功耗低，占用面积小，并有两种基准选择。

主权项

一种纯MOS结构高精度电压基准源，其特征在于：包括电流产生电路(1)、自偏置电路(2)和BGR启动电路(3)；所述BGR启动电路(3)，用于启动所述电流产生电路(1)或自偏置电路(2)；所述电流产生电路(1)，用于产生偏置电流；所述自偏置电路(2)连接所述电流产生电路(1)，用于产生基准电压。