| 发明名称 | 发光二极管芯片、其制造方法及发光二极管封装件 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片、其制造方法和发光二极管封装件。发光二极管芯片包括：基板；发光结构，位于基板的上部上并包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；分布布拉格反射器，反射从发光结构发射的光。分布布拉格反射器对在蓝光波长范围的第一波长的光、绿光波长范围的第二波长的光和红光波长范围的第三波长的光具有90％或更大的反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN102074622A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010548438.5 | 申请日期 | 2010.11.15 |
| 申请人 | 首尔OPTO仪器股份有限公司 | 发明人 | 李贞勋;李剡劤;陈相奇;慎镇哲;金钟奎;李小拉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;王青芝 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括：基板；发光结构，位于基板的上部上并包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；分布布拉格反射器，反射从发光结构发射的光，其中，分布布拉格反射器对蓝光波长范围的第一波长的光、绿光波长范围的第二波长的光和红光波长范围的第三波长的光具有90％或更大的反射率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||