| 发明名称 | MOS晶体管及CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MOS晶体管及CMOS图像传感器，该MOS晶体管包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上的栅导电层，在所述栅极两侧的半导体衬底中具有源极区和漏极区，其特征在于，所述栅氧层包括含氮的氧化硅层和位于含氮的氧化硅层和半导体衬底之间的不含氮的氧化硅层，从而使得MOS晶体管的稳定性提高，图像传感器精确性更高。 | ||
| 申请公布号 | CN201845782U | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201020575654.4 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 格科微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 霍介光;李文强;李杰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上的栅导电层，在所述栅极两侧的半导体衬底中具有源极区和漏极区，其特征在于，所述栅氧层包括含氮的氧化硅层和位于含氮的氧化硅层和半导体衬底之间的不含氮的氧化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张东路1388号20幢 | ||