复合氮化物半导体结构的外延成长

摘要

在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。

主权项

一种制造一复合氮化物半导体结构的方法，该方法包含：流入一第一III族前驱物和一第一氮前驱物至一第一处理室，该第一III族前驱物包含一第一III族元素；通过在该第一处理室中利用该第一III族前驱物与该第一氮前驱物的一热化学气相沉积制程沉积一第一层至一第一基材上，该第一层包含氮和该第一III族元素；在高于用于沉积该第一层的温度的温度下流入该包含该第一III族元素的第一III族前驱物和该第一氮前驱物至该第一处理室；在高于用于沉积该第一层的温度的温度下，在该第一处理室中利用该第一III族前驱物与该第一氮前驱物沉积一第二层至该第一层上，该第二层包含氮和该第一III族元素；沉积该第二层后，将该第一基材从该第一处理室传送到不同于该第一处理室的一第二处理室；流入一第二III族前驱物和一第二氮前驱物至该第二处理室，该第二III族前驱物包含该第一III族前驱物不含的一第二III族元素；以及通过在该第二处理室中利用该第二III族前驱物与该第二氮前驱物的一热化学气相沉积制程沉积一第三层于该第二层上。