一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作

摘要

本发明公开了一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条，阴极和栅极之间的绝缘层，以及制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极阵列。该电子源阵列结构的制作采用薄膜微加工工艺和自组装生长工艺结合的方法。在该方法中，纳米线冷阴极采用直接氧化法制作，无需催化剂。另外，通过在阴极上制作覆盖层，保护生长纳米线所需要的源材料和限制纳米线在靠近栅极的区域生长。本发明提供的采用纳米线为冷阴极的电子源阵列结构，其制作方法工艺简单、可控性高，可应用于场发射平板显示器件。

主权项

一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构，该结构包括：(1)衬底；(2)制作在该衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条；(3)阴极和栅极之间的绝缘层；(4)制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极，所述的纳米线冷阴极覆盖有阴极覆盖层限制纳米线在靠近栅极的边缘生长；(5)制作在栅极电极条和纳米线冷阴极之间的突起或凹入的绝缘台阶。