发明名称 |
提高投影步进光刻机对准信号的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提高投影步进光刻机对准信号的方法,该方法在不占用更多的版图空间的情况下,使目标和对准的排列组合尽量多,以提高硅片的套准精度和良率,可以解决目前投影步进光刻机上普遍存在的因为产品工艺多样化所产生的对准信号差异问题,其中包括因为产线工艺波动或者产品工艺更改对产品对准信号的影响,将传统的通过单纯修改版参数一种方式来进行对准信号选择,变为修改版和工作台参数2种方式,通过两者之间相结合来进行对准信号选择。通过此改变,极大丰富了对准方式。 |
申请公布号 |
CN102073222A |
申请公布日期 |
2011.05.25 |
申请号 |
CN201110031787.4 |
申请日期 |
2011.01.30 |
申请人 |
福建福顺微电子有限公司 |
发明人 |
李秋;梅海军;熊爱华;石建武;林立桂;林善彪 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种提高投影步进光刻机对准信号的方法,其特征在于:按以下步骤进行:1)在埋层掩膜版的左上角和右上角一定区域内设置各两行2~6个目标十字,其中一行目标十字不透光,另一行目标十字透光;2)在硼埋版的左上角和右上角对应区域内各设置一行1~3个对准十字,所述对准十字与埋层掩膜版上的目标十字坐标相同,对准十字为透光,对准后进行硼埋光刻;3)在磷桥光刻或隔离光刻前在对应区域内各设置一行1~3个对准十字,所述磷桥版或隔离版上的对准十字与埋层掩膜版上的目标十字坐标相同,在对准十字旁侧的空白区域内位后道可光设置目标十字,所述目标十字设置两行,一行为透光,另一行为不透光,目标十字的数量为16~32个;4)低硼光刻、基区光刻、高硼光刻、E区光刻、电容光刻、引线孔光刻、通孔光刻、钝化光刻时,每道光刻前在各场版对应磷桥版或隔离版上的目标十字设置单行对准十字,所述对准十字为透光,数量为1~4个,对准十字周围的区域为不透光;5)SIN光刻和铝光刻时,每道光刻前在各场版对应磷桥版或隔离版上的目标十字设置单行对准十字,所述对准十字为透光,数量为1~4个,对准十字周围的区域为透光。 |
地址 |
350018 福建省福州市仓山区城门镇城楼260号 |