发明名称 低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置
摘要 本发明涉及一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置,利用四个功率MOSFET管、两个电感和五个二极管构成无桥交错倍压PFC电路,面对低输入电压和大功率应用场合,能进一步提高电路转换效率和减少电路波纹。本发明集成了二极管整流桥与功率因数校正电路,具有固有的倍压功能,能降低电流的有效值,从而能降低导通损耗,减少电路纹波,提高了效率,适合于低压大功率应用场合。
申请公布号 CN102075078A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201010607186.9 申请日期 2010.12.27
申请人 福州大学 发明人 林维明
分类号 H02M1/42(2007.01)I 主分类号 H02M1/42(2007.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置,包括交流输入电源Vin,功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N,二极管Do、D1、D2、D3、D4,电容CB1、CB、CO,电感L1、L2,其特征在于:所述交流输入电源Vin的一端接二极管D3的阳极、D4的阴极、功率MOSFET管S1N、S2N的漏极,交流电源的另一端接电感L1、L2,电感L1的另一端接功率MOSFET管S2P的漏极、二极管D1的阳极、D2的阴极,电感L2的另一端接功率MOSFET管S1P的漏极、电容CB1的正极、CB的负极,二极管D1的阴极接Do的阳极、电容CB的正极,二极管Do的阴极接D3的阴极、电容CO的正极、输出负载正极,电容CO的负极接二极管D4的阳极、D2的阳极、电容CB1的负极、输出负载负极,功率MOSFET管S2P的源极与S2N的源极相连,功率MOSFET管S1P的源极与S1N的源极相连,功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N的栅极接各自的控制驱动信号。
地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区