发明名称 一种高利用率的平面磁控溅射靶
摘要 一种高利用率的平面磁控溅射靶,包括靶材和磁体组件,其中靶材固定,磁体组件设有驱动机构带动可相对于靶材运动。当磁体组件从平面靶宽度方向往复不己时,相对应地磁体组件的磁体在靶材表面所产生的“栱型”磁场在靶材表面来回移动扫描,在真空溅射镀膜时,气体辉光放电強烈的区域在靶面上来回扫描,在整个靶面上大部分面积都参与了溅射刻蚀,导致刻蚀区变宽而相对平坦,不会产生局部固定的“V”型刻蚀沟,大大地提高了靶材利用率。同时,强烈气体辉电放电区在靶面上大范围移动,相对发热区扩大,热量不集中在某个固定区域,热交换面积大了,冷却水带走热量更容易和充分,靶面温度有效地降低,辐射热大幅度減少,有利于实现低温沉积。
申请公布号 CN102071403A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201110033285.5 申请日期 2011.01.30
申请人 东莞市汇成真空科技有限公司 发明人 李志荣;李志方;罗志明;李秋霞
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人 周克佑
主权项 一种高利用率的平面磁控溅射靶,包括靶材和磁体组件,其特征是:所述的磁体组件和靶材之间可相对运动。
地址 523820 广东省东莞市大岭山镇颜屋村第四工业区