发明名称 封装半导体产品及其制造方法
摘要 封装半导体产品(2)包括第一半导体器件(4A)和封装结构,所述封装结构具有保护外壳(6)以及第一和第二外部电极(8,10)。所述第一半导体器件(4A)具有第一衬底(11A)并且配置有第一钝化层(12A)和第一电子结构。所述第一衬底具有第一主表面(14)。所述第一衬底(11A)嵌入到保护外壳(6)中,并且所述第一主表面(14)面对所述保护外壳(6)的第一开口(23)。第一电子结构具有用于电接触第一电子结构的第一和第二接触区域(20、22)。所述钝化层(12A)实质上覆盖了所述第一主表面(14)和所述第一电子结构。所述保护外壳(6)在所述第一钝化层(12A)和所述第一外部电极(8)之间朝着所述第一接触区域(20)延伸。
申请公布号 CN102077341A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN200980124216.6 申请日期 2009.06.26
申请人 NXP股份有限公司 发明人 埃里克·皮雷尔兹;杰恩-马克·闫欧;斯蒂芬·贝兰格;迈克尔·鲍米尔
分类号 H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种封装半导体产品,包括第一半导体器件和封装结构,所述封装结构具有保护外壳以及第一和第二外部电极,所述第一半导体器件具有第一衬底并且配置有第一钝化层和第一电子结构,其中将所述第一衬底嵌入到所述保护外壳中,并且所述第一衬底具有面对所述保护外壳的第一开口的第一主表面,所述第一电子结构沿第一主表面与所述第一衬底集成并且具有第一和第二接触区域,其中所述第一钝化层实质上覆盖所述第一主表面和所述第一电子结构,并且不覆盖所述第一和第二接触区域,其中所述第一外部电极与第一接触区域电连接,并且所述第二外部电极与所述第二接触区域电连接,其特征在于所述保护外壳在所述第一钝化层和所述第一外部电极之间朝着所述第一接触区域延伸。
地址 荷兰艾恩德霍芬