| 发明名称 | 复合式驻极体 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合式驻极体，包含有至少一个第一介电层以及至少一个第二介电层，其中第一介电层与第二介电层为相互交错堆栈，第一介电层具有高分子，第二介电层具有高分子，且第一介电层的高分子与第二介电层的高分子不相同。 | ||
| 申请公布号 | CN102074353A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010525869.X | 申请日期 | 2010.10.21 |
| 申请人 | 奇菱科技股份有限公司 | 发明人 | 施希弦;高哲一;吴建宗;陈柏村 |
| 分类号 | H01G7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01G7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;熊须远 |
| 主权项 | 一种复合式驻极体，包含有至少一第一介电层以及至少一第二介电层，其中该第一介电层与该第二介电层为相互交错堆栈，该第一介电层具有至少一高分子，该第二介电层具有至少一高分子，且该第一介电层的高分子与该第二介电层的高分子不相同。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南 | ||