| 发明名称 | 多晶硅层的腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多晶硅层的腐蚀方法，包括：S502，干法腐蚀多晶硅层表面因为与空气接触而形成的氧化层；S504，对多晶硅层未被光刻胶覆盖部分正常进行干法腐蚀；S506，在多晶硅层侧壁形成保护层；S508，对多晶硅层进行过腐蚀，去除残留的多晶硅。本发明适用于多层多晶硅结构，相对于传统工艺，省去了形成隔离层的工序。且由于传统工艺台阶处的隔离层无法去除，还必须在形成隔离层之前，就对晶圆片进行一次额外的离子注入，因此还需要增加一块掩膜版和一次光刻过程。上述多晶硅的腐蚀方法一并省下了这个额外的工序，相对于传统工艺节省了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102074473A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910109775.1 | 申请日期 | 2009.11.19 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 钱海锋;黄伟南 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种多晶硅层的腐蚀方法，包括：S502，干法腐蚀多晶硅层表面因为与空气接触而形成的氧化层；S504，对多晶硅层未被光刻胶覆盖部分正常进行干法腐蚀；S506，在多晶硅层侧壁形成保护层；S508，对多晶硅层进行过腐蚀，去除残留的多晶硅。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||