在太阳电池中图案化扩散层的方法及由该方法制造的太阳电池

摘要

为掺杂目的而开发自对准电池(SAC)结构的方法，采用所述结构指引掺杂剂或扩散阻滞剂的沉积和施加。掺杂被提供在将变成用于导电手指的金属化的区域中。掺杂剂可以被直接处理到金属化凹槽内。或者，扩散阻滞剂可以被提供在非凹槽位置中，而掺杂剂可以提供在整个晶圆表面的一些或全部上。掺杂剂和金属自动地行进到需要的地方并互相配准。SAC结构还包括用于电池的光吸收区域的凹表面，以降低对光能的反射，所述区域还可以用凹处中的掺杂剂处理，以产生半导体发射极线。可选地，扩散阻滞剂可以处理到凹面内，留下在凹处之间的脊的上顶端暴露着，从而受到更深的掺杂。

主权项

一种提供具有图案化的扩散层的太阳电池的方法，包括步骤：a.提供半导体晶圆；b.在半导体晶圆中提供凹槽；c.将掺杂剂液体分散到凹槽内；d.以高温施加的方式加热晶圆一段持续时间，该高温施加将掺杂剂扩散到晶圆内；及e.将含有液体的金属化材料分散到凹槽内；从而在金属化位置处产生图案化的扩散层。