发明名称 浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法
摘要 提供了一种浸没式光刻设备,其包括:能量源;投影光学系统;台;包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流;和清洁装置,所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中,清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中,该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。
申请公布号 CN102073221A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201110022569.4 申请日期 2008.02.14
申请人 ASML控股股份有限公司 发明人 哈里·休厄尔;路易斯·约翰·马克亚
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种浸没式光刻设备,包括:能量源;投影光学系统;移动衬底的台,衬底被安置于所述台上;喷头,所述喷头包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置,所述喷头在投影光学系统和衬底之间形成液体流;和清洁装置,所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统的与浸没液体接触的部分,所述清洁装置包括:气体供应装置;和气体排出装置,其中该气体供应装置产生在投影光学系统和台之间的清洁气体流,其中所述气体供应装置和气体排出装置被加装于喷头上。
地址 荷兰维德霍温