发明名称 一种硫化镉薄膜制作方法
摘要 本发明公开了一种硫化镉薄膜制作方法,利用化学水浴沉积法形成硫化镉薄膜,该化学浴包括含硫化合物与含镉化合物,藉氨水调节化学浴成碱性,并添加缓冲盐,同时搅拌并加热,再将玻璃基板浸泡至化学浴中,使得浸泡时间增加时,硫化镉薄膜厚度的增加不会形成双重结构,藉以强化硫化镉薄膜对玻璃基板的附着力,提高硫化镉薄膜的品质。
申请公布号 CN102070304A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN200910223960.3 申请日期 2009.11.20
申请人 正峰新能源股份有限公司 发明人 陈文仁
分类号 C03C17/22(2006.01)I 主分类号 C03C17/22(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 刘俊
主权项 一种硫化镉薄膜制作方法,用以在一玻璃基板上形成硫化镉薄膜,其特征在于,该方法包括:添加含镉离子的化学药品与含硫离子的化学药品至纯水中;添加氨水以保持一最佳pH值;添加缓冲盐;搅拌并加热至一预设温度以形成一化学浴;将该玻璃基板置入该化学浴中浸泡一预设时间以进行镀膜,用以在该玻璃基板上形成该硫化镉薄膜;以纯水清洗该玻璃基板与该硫化镉薄膜;以及以氮气吹干该玻璃基板与该硫化镉薄膜。
地址 中国台湾桃园县