| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。根据本发明，不仅可以降低栅电阻，而且能够降低在栅与源/漏上形成接触孔时RIE工艺中的困难。 | ||
| 申请公布号 | CN102074479A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910238768.1 | 申请日期 | 2009.11.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||