发明名称 一种高比表面积WC-C复合材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种高比表面积WC-C复合材料的制备方法,包括如下步骤:将钨源作为前驱体,所述的钨源为偏钨酸铵、仲钨酸铵、钨酸钠或钨酸,在氮气保护下将质量比为1∶0.1~1的钨源与金属粉末的混合物放入石英舟内,移入通有氮气的管式炉中,所述金属粉末为Mg,Na或Al粉;以CO作为碳化气体,以20~300ml/min的流速通入管式炉中,通过程序升温方式进行还原碳化,反应完毕后在氮气的保护下冷却至室温,将样品放入酸溶液中去除金属后,经过滤、干燥获得黑色粉末,即为所述的WC-C复合材料。本发明制备方法简单,制得的WC-C复合材料具有高分散性、高比表面的特点。
申请公布号 CN102069002A 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201010617226.8 申请日期 2010.12.31
申请人 浙江工业大学 发明人 马淳安;陈赵扬
分类号 B01J27/22(2006.01)I;B01J37/16(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I 主分类号 B01J27/22(2006.01)I
代理机构 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人 黄美娟;俞慧
主权项 一种WC‑C复合材料的制备方法,包括如下步骤:将钨源作为前驱体,所述的钨源为偏钨酸铵、仲钨酸铵、钨酸钠或钨酸,在氮气保护下将质量比为1∶0.1~1的钨源与金属粉末的混合物放入石英舟内,移入通有氮气的管式炉中,所述金属粉末为Mg,Na或Al粉;以CO作为碳化气体,以20~300ml/min的流速通入管式炉中,通过程序升温方式进行还原碳化,反应完毕后在氮气的保护下冷却至室温,将样品放入酸溶液中去除金属后,经过滤、干燥获得黑色粉末,即为所述的WC‑C复合材料。
地址 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区
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