发明名称 |
基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5~4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4),欧姆接触层上淀积源漏极(2),n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1),该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成,其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06~0.08μm,栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点,可用于核能中对β射线的探测。 |
申请公布号 |
CN102074610A |
申请公布日期 |
2011.05.25 |
申请号 |
CN201010278812.4 |
申请日期 |
2010.09.09 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
郭辉;詹晓伟;张玉明;程和远;洪朴 |
分类号 |
H01L31/119(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/119(2006.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华;朱红星 |
主权项 |
一种基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器,自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和两侧n+掺杂的欧姆接触层(4),该欧姆接触层上淀积有金属Ni作为源漏极(2)、n型缓冲层中间区域淀积半透明肖特基接触层(1),并埋入n型缓冲层(5)内,该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成,栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3),其特征在于n型沟道的浓度为3.5~4×1017cm‑3,肖特基接触层(1)埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06~0.08μm。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |