发明名称 |
填充介电质间隙的制程室 |
摘要 |
本发明是揭露一种用于自介电前驱物的等离子而在基材上形成介电层的系统。该系统包括:一沉积室;一位于沉积室中以支托基材的基材座;以及一耦合至沉积室的远程等离子产生系统,其中该等离子产生系统是用以产生包括一或多种反应性自由基的一介电前驱物。该系统更包括一照射加热系统以加热基材,该加热系统包括至少一光源,其中由光源所发射出的至少部分光线在到达基材之前,是行经沉积室的顶侧。该系统亦包括一前驱物分配系统,以将反应性自由基前驱物及额外的介电前驱物导入沉积室中。亦可包括一原位(in-situ)等离子产生系统,以在沉积室中由供应至沉积室的介电前驱物而产生等离子。 |
申请公布号 |
CN101326629B |
申请公布日期 |
2011.05.25 |
申请号 |
CN200780000644.9 |
申请日期 |
2007.05.30 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
D·卢波米芮基;Q·梁;S·帕克;K·N·查克;E·伊哈 |
分类号 |
H01L21/76(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种在基材上形成介电层的系统,该系统包括:沉积室;基材座,位于该沉积室中以支托该基材;远程等离子产生系统,耦合至该沉积室,其中该远程等离子产生系统用以产生含反应性自由基的介电前驱物;前驱物分配系统,包括至少一顶端入口以及数个侧边入口,用以将含硅前驱物导入该沉积室中,其中该顶端入口位于该基材座的上方,该些侧边入口径向分布于该基材座的周围并延伸于该基材之上,及该含反应性自由基的介电前驱物通过该顶端入口而供应至该沉积室;以及原位等离子产生系统,用以在该沉积室中由供应至该沉积室的介电前驱物而产生等离子。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |