| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电极；在栅极电极的侧壁上形成间隔物；以及将掺杂掺入在间隔物的两侧的半导体衬底以形成高掺杂杂质区。间隔物被选择性蚀刻以暴露半导体衬底的一部分，更轻掺杂的杂质区形成在高掺杂杂质区与栅极电极之间的半导体衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN102074483A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010562711.X | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金成桓;山田悟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电极，所述栅极电极具有相对的侧壁；在所述栅极电极的所述侧壁上形成间隔物；将杂质掺入在所述间隔物的相对侧的所述半导体衬底以在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂杂质浓度的高掺杂杂质区；选择性去除所述间隔物以暴露所述半导体衬底的在所述高掺杂杂质区与所述栅极电极之间的部分；以及在所述半导体衬底的位于所述高掺杂杂质区与所述栅极电极之间的暴露部分中形成轻掺杂杂质区，所述轻掺杂杂质区具有比第一掺杂杂质浓度低的第二掺杂杂质浓度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||