| 发明名称 | 包括具有凹陷漏极与源极区及非保形金属硅化物区的MOS晶体管的CMOS器件 | ||
| 摘要 | 具有凹陷漏极与源极组构的晶体管(150)中的非保形金属硅化物层(156)对于应变引发机制、漏极/源极电阻等可以提供增强的效率。为了此目的，在某些情况中，非晶化注入制造方法可以在硅化制造方法之前予以执行，而在其它情况中，可以使用非等向性沉积耐火金属(156)。 | ||
| 申请公布号 | CN102077321A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200980125492.4 | 申请日期 | 2009.06.30 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·霍尼舒尔;U·格里布诺;A·魏 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：晶体管(150)，包括连结至沟道区的漏极区和源极区(155)，该漏极区和源极区(155)中的至少一个具有凹陷组构(155R)并包括具有非保形厚度的金属硅化物层(156)；以及应变引发介电层(110)，其与该金属硅化物层(156)接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||