发明名称 n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法
摘要 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上;导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极,p-型金刚石(1)作为导电阳极。制作过程是在硅或金刚石单晶衬底上生长p型金刚石,热蒸发法在p型金刚石上生长n型氧化锌(2)纳米结构,最后制作电极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构,具有较大电流峰谷比;其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。
申请公布号 CN101807606B 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN201010117449.8 申请日期 2010.03.04
申请人 吉林大学 发明人 李红东;桑丹丹;吕宪义
分类号 H01L29/88(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I 主分类号 H01L29/88(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 王恩远
主权项 一种n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管,所述的p型金刚石(1)是硼掺杂的多晶金刚石膜或硼掺杂的金刚石单晶,其特征在于,所述的n型氧化锌(2)是氧化锌纳米棒、纳米线或纳米管阵列结构,竖直生长在p型金刚石(1)上;导电玻璃(3)的导电面与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极,p型金刚石(1)作为导电阳极;用电极银浆(4)在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。
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