| 发明名称 | 一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102074577A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010506129.1 | 申请日期 | 2010.10.09 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 艾玉杰;郝志华;黄如;浦双双;樊捷闻;孙帅;王润声;许晓燕 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于，其沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||