钽溅射环结构

摘要

本实用新型实施例公开了一种钽溅射环结构，应用于12英寸硅片的生产过程，该钽溅射环结构上具有花纹，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。本实用新型实施例提供的钽溅射环结构，通过增大钽溅射环结构上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环结构的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材原子吸附能力差从而导致使用寿命短的问题，本实用新型实施例中的钽溅射环结构的花纹能够吸附的更多的靶材原子，进而增加了钽溅射环结构的使用次数，延长了使用寿命。

主权项

一种钽溅射环结构，该钽溅射环结构上具有花纹，其特征在于，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。