发明名称 一种采用绝缘介质阻挡层的垂直发光二极管及其制备方法
摘要 一种采用绝缘介质阻挡层的垂直发光二极管及其制备方法,在一散热基板下表面形成下电极,上表面形成下焊接金属;在GaN基外延下表面形成p型欧姆接触反射金属膜;在反射金属膜下表面部分区域覆盖绝缘介质膜;在绝缘介质膜下表面及裸露的部分反射金属膜下表面形成上焊接金属;GaN基外延通过上焊接金属与散热基板下焊接金属连接散热基板;GaN基外延上表面形成上电极。反射镜Ag表面采用绝缘介质膜而非金属材料作为阻挡层,避免Ag被其它金属热扩散影响,且简易的导电孔设计即可实现垂直方向电学导通,实现垂直结构二极管较低的p接触压降,本发明方法制造的垂直结构二极管同采用金属阻挡层的垂直结构二极管相比具有更低的正向工作电压及更高的发光效率。
申请公布号 CN101599522B 申请公布日期 2011.05.25
申请号 CN200910016729.7 申请日期 2009.06.30
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 林雪娇;潘群峰;吴志强;吴瑞玲
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 厦门原创专利事务所 35101 代理人 徐东峰
主权项 一种采用绝缘介质阻挡层的垂直发光二极管,包括:提供一散热基板;在散热基板下表面形成下电极;在散热基板上表面形成下焊接金属;在GaN基外延下表面形成p型欧姆接触反射金属膜;在反射金属膜下表面部分区域覆盖绝缘介质膜;在绝缘介质膜下表面及裸露的部分反射金属膜下表面形成上焊接金属;GaN基外延通过上焊接金属与散热基板下焊接金属连接在散热基板上;在GaN基外延上表面形成上电极。
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