SOI芯片的制造方法

摘要

本发明是一种SOI芯片的制造方法，其特征在于包含：准备一由p+单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由含有较低浓度的掺杂剂的单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；根据热氧化，在基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着硅氧化膜，将接合芯片与基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。从而，可提供一种SOI芯片的制造方法，能简便地防止由于高温热处理，已含在基底芯片中的p型掺杂剂，从基底芯片的贴合面的相反侧的面，往外方扩散，并能抑制掺杂剂混入SOI层中，且可减少翘曲。

主权项

一种SOI芯片的制造方法，其特征在于至少包含：准备一由p+单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；该p+单晶硅芯片是在整个芯片中高浓度地含有p型掺杂剂，该接合芯片是含有比前述基底芯片的p型掺杂剂浓度低的掺杂剂；根据热氧化，在前述基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着前述基底芯片上的硅氧化膜，将前述接合芯片与前述基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将前述接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在前述基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在前述基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。